Si Type Electronic Discriminator（SED-V）                                        半導體硅材料分選儀（SED-V）使用手冊   1、測試電源，電源電壓值應該在220V左右，電壓偏差不得超過2%，否則影響測試定標，偏差過大甚至會損壞電路。（AC110V使用需要配備AC110V轉(zhuǎn)AC220V電壓轉(zhuǎn)換器） 2、接好測試線，測試線連接到儀器上時，務必確保儀器上插座的凸起與測試線插頭的凹槽對應好，并將螺圈旋緊。 3、接好電源線；上電，開關(guān)的電源燈點亮（若電源燈不亮，需要更換在后面板電源插頭處的保險絲，規(guī)格為1A）。面板上數(shù)碼管p,n同時各閃一下。每次開機后請先測試一下低阻樣片，檢測儀器是否正常。 4、將測試探針接觸待測的樣品：n點亮代表N型的半導體材料；p點亮代表P型材料；如果遇到兩個數(shù)碼管均不亮，一般情況下為很低的電阻率（<10^-2以下），此時，蜂鳴器和紅燈應處在報警狀態(tài)。 5、紅燈亮及蜂鳴器響時為設(shè)定的低電阻以下及重摻報警。 6、出品時，廠家按用戶要求定標，可選定標：0.1歐姆*厘米、0.2歐姆*厘米、0.3歐姆*厘米、0.5歐姆*厘米。 7、在測量時，為確保探測一致性，探針需垂直點在接觸面上，探針的最大傾斜角度不應超過20度；探針探測時請勿用勁壓到底，以彈簧縮進的極限長度為限。探測時，探針進入針套3/4以上，這樣可以利用彈簧的力量使測量的一致性良好。切忌：不能用蠻力將針使勁頂緊，使彈簧無法發(fā)揮作用。 8、在測量非平面材料時，應注意不要使探針歪曲變形。 9、果遇到探針斷在針套內(nèi)的情況，請更換探針套（隨機帶來）。方法是將白色的探頭用工具輕輕拔出（注意：要輕輕拔出，否則可能將內(nèi)部連線拉斷）。去除熱縮管，將針套焊開，更換新的針套，用熱縮管保護，插回白色的探頭。 10、特別提醒: 由于回收硅料有各種類型, 此測試儀測量的結(jié)果可能會有所偏差；待測樣片需打磨之后測試。建議50個小時換一次針。 11、注意：出廠時，為保護探針，測試筆頭上會戴一蓋帽，使用時要輕輕將蓋帽撥下，不能使勁拉拔，以免將白頭從筆管帶出，謝謝合作。   12、本機主機的保修期為12個月,易損件除外。 13、易損件包括探針線、探針頭、探針等部件。     請保留此參數(shù)，在調(diào)整參數(shù)時需要提供： 定標：   歐姆*厘米 電阻1 電阻2  歐姆  歐姆   近年來，世界各國均發(fā)展智能電網(wǎng)，智能電表在這應用中發(fā)揮關(guān)鍵作用，可以使用戶與電力系統(tǒng)之間實現(xiàn)互動，如一方面幫助電力機構(gòu)精確了解用戶的用電規(guī)律，為高峰用電或低谷用電設(shè)定差異化的電價；另一方面，用戶也可以調(diào)整自己的用電計劃，節(jié)省電費支出。

從智能電表的組成來看，主要包括通信、電源及電源管理、計量及存儲等功能模塊。安森美半導體身為應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商，提供應用于智能電表各個功能模塊的豐富解決方案，如PLC調(diào)制解調(diào)器和線路驅(qū)動器、放大器、穩(wěn)壓、監(jiān)控、電壓保護、溫度傳感器、實時時鐘、存儲器、LCD背光、I/O接口、智能卡接口和I/O擴展器等。

其中，就電源及電源管理模塊(參見圖1)而言，安森美半導體亦提供豐富的產(chǎn)品選擇，包括高壓交流-直流(AC-DC)開關(guān)穩(wěn)壓器、直流-直流(DC-DC)開關(guān)穩(wěn)壓器/控制器和低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器等(參見表1)，方便用戶根據(jù)具體應用選擇適合的方案。這些電源方案具有高能效、低能耗及豐富保護特性等特點，非常適合智能電表應用。

圖1：智能電表電源及電源管理模塊框圖

表1：安森美半導體應用于智能電表電源及電源管理模塊的器件列表

提供高能效及低待機能耗的AC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器

如表1所示，在交流-直流電源轉(zhuǎn)換部分，可以選用安森美半導體的一系列開關(guān)穩(wěn)壓器，如適合低功率應用的NCP1010/1/2/3/4自供電單片開關(guān)穩(wěn)壓器、適合中等功率應用的NCP1027高壓單片開關(guān)穩(wěn)壓器，以及高壓門控開關(guān)穩(wěn)壓器NCP1050/1/2/3/4/5等。

以NCP101x為例，這系列器件集成了固定頻率電流模式控制器及典型導通阻抗為11或22 Ω的700 V MOSFET，提供構(gòu)建強固及低成本開關(guān)電源所需的全部特性，包括軟啟動、頻率抖動、短路保護、跳周期、最大峰值電流設(shè)定點及動態(tài)自供電(不需要輔助繞組)等。在正常負載工作期間，NCP101x以65、100及130 kHz中的某一頻率開關(guān)；而當電流設(shè)定點降到低于某個給定值(如輸出功率需求消失)時，NCP101x自動進入所謂的跳周期模式(在此模式下跳除不需要的開關(guān)周期)，從而提供極佳的輕載能效。由于進入跳周期模式通常發(fā)生在最大峰值電流的1/4時，故沒有可聽噪聲產(chǎn)生。因此，待機能耗降至最低，且沒有可聽噪聲產(chǎn)生。NCP101x典型應用電路及不同型號的關(guān)鍵參數(shù)參見圖2。

圖2：NCP101x單片開關(guān)穩(wěn)壓器典型應用電路及不同器件關(guān)鍵參數(shù)

NCP1027則為目標輸出功率等級為數(shù)瓦到15 W的通用主電源反激應用提供新的方案。這器件采用安森美半導體專有的高壓技術(shù)，集成了均直接連接至大電容的功率MOSFET及啟動電流源。為了防止在低輸入電壓條件下出現(xiàn)熱失控，這器件具有的可調(diào)節(jié)輸入欠壓保護電路阻止出現(xiàn)這種狀況，直到達到充足的輸入電平。這器件的其它特性包括可調(diào)節(jié)斜坡補償、過功率保護、短路保護、過壓保護等。此外，NCP1027提供較大的導通阻抗值，使其成為待機/輔助離線電源或要求較高輸出功率應用的極佳選擇。

NCP105x是使終端設(shè)備能夠符合低待機能耗要求的單片開關(guān)穩(wěn)壓器，這系列器件直接采用整流的交流線路電源工作。在反激轉(zhuǎn)換器應用中，它們在100、115或230 V固定交流輸入電壓下能夠提供6.0至40 W的輸出功率，而在85到265 V的可變交流輸入電壓下能夠提供3.0至20 W的輸出功率。這系列器件提供有源啟動穩(wěn)壓器電路，使轉(zhuǎn)換器變壓器上無需輔助偏置繞組。其它特性包括故障檢測器及可編程定時器(用于轉(zhuǎn)換器過載保護)、獨特的門控配置(提供極快環(huán)路路應及雙重脈沖抑制)、電源開關(guān)限流、帶遲滯的輸入欠壓鎖定、熱關(guān)閉及自動重啟故障檢測等。這系列器件25 ℃結(jié)溫下的限流閾值典型值介于100 mA到680 mA之間。

提供不同電流電平的DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器

工程師同樣可以根據(jù)具體應用選擇安森美半導體的不同DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器方案，如3 A 開關(guān)穩(wěn)壓器NCP3155、1.5 A開關(guān)穩(wěn)壓器NCP3063/4、0.5/1.0/3 A開關(guān)穩(wěn)壓器LM2594/5/6、NCP3020/11脈寬調(diào)制(PWM)控制器及NCP1034 PWM控制器。

以NCP3155為例，這是安森美半導體新推出的一款DC-DC同步降壓穩(wěn)壓器，包含NCP3155A和NCP3155B兩個版本。NCP3155包含全集成電源開關(guān)(48 mΩ高端FET及18 mΩ低端FET)，提供完整的故障保護特性(輸入欠壓鎖定、輸出過壓保護及輸出欠壓保護、限流及短路保護)。這器件的輸入電壓范圍為4.7至24 V，輸出電壓可調(diào)節(jié)。NCP3155支持較高的工作頻率(A版本為500 kHz，B版本為1 MHz)，能夠使用較小的濾波器組件，從而減小占用的電路板空間及物料單(BOM)成本。NCP3155采用SOIC-8封裝，典型應用電路圖參見圖3。

圖3：NCP3155A典型應用電路圖

NCP3063及NCP3064是1.5 A升壓、降壓及反轉(zhuǎn)開關(guān)穩(wěn)壓器，包含內(nèi)置溫度補償參考、比較器、占空比受控振蕩器及有源限流電路、驅(qū)動器及大電流開關(guān)。這系列器件的設(shè)計專門針對升壓、降壓及電壓反轉(zhuǎn)應用，所需外部組件極少。這系列器件的輸出開關(guān)電流達1.5 A，也可用作控制器，支持達5 A電流。NCP3064與NCP3063不同的是，提供導通/關(guān)閉引腳，用于低能耗關(guān)閉模式，典型待機電流消耗僅為100 μA。

LM2594、LM2595和LM2596分別是0.5 A、1.0 A及3 A降壓開關(guān)穩(wěn)壓器。與常見的三端線性穩(wěn)壓器相比，這系列器件的能效要高得多，特別是在較高輸入電壓的條件下。這系列器件采用150 kHz開關(guān)頻率工作，能夠使用尺寸更小的濾波組件。其它特性包括：特定輸入電壓及輸出負載條件下確保提供±4%的輸出電壓容限、振蕩器頻率精度達±15%、支持外部關(guān)閉(LM2594和LM2595待機電流典型值為50μA，LM2596為80 μA)、輸出開關(guān)逐周期限流及故障條件下熱關(guān)閉等。

NCP3020/11、NCP1034均為同步降壓PWM控制器。其中，NCP3021/11支持4.7至28 V的輸入電壓范圍，提供啟用(EN)/功率良好(PG)/同步(SYNC)引腳，以及300/400/600 kHz的開關(guān)頻率。保護特性包括無損耗限流、短路保護、輸出過壓保護、輸出欠壓保護及輸入欠壓鎖定。

NCP1034與NCP3020/11不同，能夠接受高達100 V的輸入電壓，并提供50 kHz至500 kHz的可調(diào)節(jié)開關(guān)頻率，具備2 A輸出電流能力，提供用戶可編程輸入欠壓鎖定及斷續(xù)(hiccup)限流等保護特性。

提供不同電流電平的線性LDO穩(wěn)壓器

安森美半導體同樣提供不同電流電平的線性低壓降穩(wěn)壓器，方便用戶的選擇。這些LDO穩(wěn)壓器包括LP2951、NCP4640/1、NCP562及NCP4588等。

其中，LP2951是100 mA多功能LDO線性穩(wěn)壓器，特別設(shè)計用于輸入與輸出電壓差極低的穩(wěn)壓應用。這器件提供75 μA的極低靜態(tài)偏置電流，并提供固定或可調(diào)節(jié)輸出電壓(輸出電壓可在1.25 V至29 V之間設(shè)定)。NCP4640和NCP4641則是50/150 mA線性穩(wěn)壓器，支持4至36 V輸入電壓并可承受50 V電壓。NCP562是80 mA超低靜態(tài)電流LDO穩(wěn)壓器，靜態(tài)電流低至2.5 μA。NCP4588則是200 mA輸出LDO線性穩(wěn)壓器，典型靜態(tài)電流小于9.5 μA，待機電流為0.1 μA，壓降低至270 mV，并提供高70 dB的電源抑制比(PSSR)。這器件即使在負載電流變化的情況下也可以省去輸出電容，在沒有輸出電容的情況下仍然保持穩(wěn)定工作。但如果負載變化極大，可以使用0.1 μF至10 μF的輸出電容。

圖4：NCP4588在省去輸出電容的情況下仍能保持穩(wěn)定工作

安森美半導體應用于智能電表的其它解決方案

如上所述，安森美半導體為智能電表應用提供豐富的解決方案，除了上述電源及電源管理方案，還包括電力線載波(PLC)調(diào)制解調(diào)器，以及豐富的存儲器(EEPROM及SRAM)、時鐘、接口、保護/濾波產(chǎn)品等，構(gòu)成我們應用于智能電表的完整解決方案。

例如，安森美半導體推出了支持2.4 kb的更高半雙工可調(diào)節(jié)通信速率、符合IEC61334-5-1標的AMIS-49587高集成度低功率PLC調(diào)制解調(diào)器方案，以及能驅(qū)動高達2 A電流的高能效的A/B類低失真線路驅(qū)動器——NCS5650，能夠很好地配合智能電表PLC調(diào)制解調(diào)器及線路驅(qū)動應用。

圖5：應用于智能電表通信模塊的PLC調(diào)制解調(diào)器及線路驅(qū)動器方案

總結(jié)：

電源及電源管理是智能電表的重要功能模塊。安森美半導體為此功能模塊提供豐富的產(chǎn)品選擇，包括AC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器、DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器及LDO線性穩(wěn)壓器，方便用戶根據(jù)具體應用選擇適合的器件。除了電源及電源管理方案，安森美半導體還為智能電表應用提供其它功能模塊的豐富方案，如PLC調(diào)制解調(diào)器及線路驅(qū)動器、存儲器(EEPROM及SRAM)、時鐘、接口、保護/濾波產(chǎn)品等，構(gòu)成應用于智能電表的完整解決方案。  　　半導體激光器在激光器領(lǐng)域中具有重要的地位

　　半導體激光器是20世紀60年代發(fā)展起來的一種激光器，以半導體材料作為工作物質(zhì)。從20世紀70年代末開始，半導體激光器明顯向著兩個方向發(fā)展，一類是以傳遞信息為目的的信息型激光器，另一類是以直接使用輸出激光的光功率為目的的功率型激光器。

　　半導體激光器由光纖耦合半導體激光器模塊、合束器件、激光傳能光纜、電源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)及機械結(jié)構(gòu)等構(gòu)成，在電源系統(tǒng)和控制系統(tǒng)的驅(qū)動和監(jiān)控下實現(xiàn)激光輸出。半導體激光器工作原理是采用注入電流的激勵方式，將注入電流的電能通過半導體材料實現(xiàn)電光轉(zhuǎn)換，輸出激光。半導體激光器可作為光纖激光器、固體激光器的泵浦源，也可用于制作直接半導體激光器，作為光源應用到材料加工、激光醫(yī)療、激光雷達等領(lǐng)域。

　　隨著半導體激光器技術(shù)的快速發(fā)展和突破，半導體激光器產(chǎn)品質(zhì)量、波長范圍和輸出功率正在迅速提高，產(chǎn)品種類日益豐富，應用到激光加工、3D打印、激光雷達、生命科學與健康和紅外照明與顯示等的許多方面。半導體激光器具有體積小、重量輕、電光轉(zhuǎn)換效率高、性能穩(wěn)定、可靠性高和壽命長等優(yōu)點，已經(jīng)顯露出其在激光器領(lǐng)域中的主導地位，成為光電行業(yè)中具有發(fā)展前途的領(lǐng)域之一。

　　半導體激光器是成熟較早、進展較快的一類激光器，由于它的波長范圍寬，制作簡單、成本低、易于大量生產(chǎn)，并且由于體積小、重量輕、壽命長，因此，品種發(fā)展快，應用范圍廣，目前已超過300種。激光應用需求的不斷提高，對半導體激光器的要求也越來越高，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：

　　提高輸出功率，開發(fā)高功率的二維或者三維列陣，以滿足工業(yè)加工等領(lǐng)域?qū)β实男枨螅?/div>

　　提高電光轉(zhuǎn)換效率，實現(xiàn)激光系統(tǒng)的小型化和化，較少散熱壓力，降低成本；

　　提高光束質(zhì)量；

　　提高可靠性，即在高峰值功率和極其惡劣的環(huán)境中也能自由使用，如滿足空間航天飛行器在輻射大、溫差大環(huán)境中使用。

　　半導體激光器的應用范圍覆蓋了整個光電子學領(lǐng)域，已成為當今光電子科學的核心技術(shù)。半導體激光器在激光測距、激光雷達、激光通信、激光模擬武器、激光警戒、激光制導跟蹤、引燃引爆、自動控制、檢測儀器等方面獲得了廣泛的應用，形成了廣闊的市場。

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