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GB/T 24581-2022 硅單晶中Ⅲ、V族雜質(zhì)含量的測(cè)定低溫 傅立葉變換紅外光譜法溫馨提示:山東省質(zhì)量檢測(cè)機(jī)構(gòu)新舊資質(zhì)過渡 [詳細(xì)]
為加強(qiáng)建設(shè)工程質(zhì)量檢測(cè)管理,根據(jù)《中華人 [詳細(xì)]
本文件按照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分:標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。
本文件代替GB/T24581-2009《低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)量硅單晶中Ⅲ、V族雜質(zhì)含量的測(cè)試方法》,與GB/T24581-2009相比,除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動(dòng)外,主要技術(shù)變化如下:
a)刪除了“目的”(見2009年版的第1章);
b)更改了硼(B)、磷(P)、砷(As)、鋁(A1)、銻(Sb)、鎵(Ga)的測(cè)定范圍,并增加了銦(In)含量的測(cè)定(見第1章,2009年版的第2章);
c)更改了術(shù)語和定義(見第3章,2009年版的第5章);
d)增加了雜質(zhì)含量小于5.0×25275px-·的樣品的測(cè)量條件(見5.6);
e)增加了用次強(qiáng)吸收譜帶P(6875px-1)來計(jì)算磷(P)元素的含量(見5.8);
f)增加了摻雜硅單晶對(duì)測(cè)量的影響(見5.9);
g)更改了多晶轉(zhuǎn)變?yōu)閱尉У姆椒ǎㄒ?.12,2009年版的8.1);
h)更改了傅立葉變換紅外光譜儀的要求(見7.4,2009年版的7.4);
i)增加了千分尺及其精度要求(見7.5);
j)更改了非零響應(yīng)值譜線范圍(見9.2,2009年版的10.2);
k)更改了背景光譜的掃描次數(shù)(見9.7,2009年版的11.5);
1)更改了樣品的掃描次數(shù)(見9.10,2009年版的11.8);
m)表1中增加了P(6875px-1)對(duì)應(yīng)的峰位置、基線和積分范圍及校準(zhǔn)因子(見10.1);
n)更改了雜質(zhì)含量的單位,并對(duì)計(jì)算公式進(jìn)行了相應(yīng)的修約(見10.4,2009年版的13.1、13.2);
0)更改了測(cè)量結(jié)果的精密度(見第11章,2009年版的第15章);
p)更改了試驗(yàn)報(bào)告的內(nèi)容(見第12章,2009年版的第14章);
q)刪除了偏差、關(guān)鍵詞(見2009年版的第16章、17章)。
請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。
本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備與材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。
本文件起草單位:樂山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)所、青海芯測(cè)科技有限公司、江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司、亞洲硅業(yè)(青海)股份有限公司、新特能源股份有限公司、有研半導(dǎo)體硅材料股份公司、四川永祥股份有限公司、陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司、江蘇鑫華半導(dǎo)體材料科技有限公司、洛陽中硅高科技有限公司、新疆協(xié)鑫新能源材料科技有限公司、國(guó)標(biāo)(北京)檢驗(yàn)認(rèn)證有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、宜昌南玻硅材料有限公司、江蘇秦烯新材料有限公司、義烏力邁新材料有限公司。
本文件主要起草人:梁洪、趙曉斌、萬濤、薛心祿、魏東亮、王彬、邱艷梅、楊素心、李素青、李朋飛、趙培芝、王永濤、魏強(qiáng)、楚東旭、周延江、劉文明、劉紅、何建軍、皮坤林。
本文件于2009年首次發(fā)布,本次為第一次修訂。