四探針電阻測(cè)試儀對(duì)仲裁測(cè)量，報(bào)告還應(yīng)包括對(duì)探針狀況、電測(cè)裝置的精度、所測(cè)原始數(shù)據(jù)及處理結(jié)果。

接通電流，令其任一方向?yàn)檎?，調(diào)節(jié)電流大小見(jiàn)表1所給出的某一合適值，測(cè)量并記錄所得數(shù)據(jù)。所有測(cè)試數(shù)據(jù)至少應(yīng)取三位有效數(shù)字。 改變電流方向，測(cè)量、記錄數(shù)據(jù)。關(guān)斷電流，搶起探針裝置，對(duì)仲裁測(cè)量，探針間距為1.59 mm，將樣品分別旋轉(zhuǎn)30°±5'，重復(fù)8.4～~8.7的測(cè)量步驟，測(cè)5組數(shù)據(jù)，測(cè)量結(jié)果計(jì)算

將操針下降到試樣表面測(cè)試，使四探行針尖端陣列的中心落在試樣中心1.00mm范圍內(nèi)。 

對(duì)于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為 100 μm~250 μm的半球形探針或針尖率徑為50 μm～125 pm平頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 N~0.8Ni對(duì)于薄層厚度不小于3μ的試樣，選用針尖半徑為 35 μm~100 pm 半球形操針，針尖與試樣間壓力不大于0.3 N.

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺(tái)上，試樣放置的時(shí)間應(yīng)足夠長(zhǎng)，達(dá)到熱平衡時(shí)，試樣溫度為23 ℃±1℃.

測(cè)量條件和步驟整個(gè)測(cè)試過(guò)程應(yīng)在無(wú)光照，無(wú)離頻和無(wú)振動(dòng)下進(jìn)行。

化學(xué)實(shí)驗(yàn)室器具，如;塑料燒杯，量杯和適用于酸和溶劑的涂塑懾子等。試樣制備如試樣表面潔凈，符合測(cè)試條件可直接測(cè)試，否則，按下列步驟清洗試樣后測(cè)試∶試樣在甲醇中源洗1min。如必要，在甲醇中多次源洗，直到被干燥的試樣無(wú)污跡為止。將試樣干燥。 放入氫氟酸中清洗1 min。 用純水洗凈。 用甲醇源洗干凈， 用氮?dú)獯蹈伞?/p>

GB/T 11073 硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法提要

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用商成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的新版本。凡是不注日期的引用文件，其新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。 GB/T 1552 硅、儲(chǔ)單晶電阻率測(cè)定 直排四探針?lè)?/p>

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑大于15.9mm的由外延、擴(kuò)散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類(lèi)型與被測(cè)薄層相反。適用于測(cè)量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測(cè)量范圍為10A~5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測(cè)量，但其測(cè)量精確度尚未評(píng)估。

范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測(cè)量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法。

在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)中，四探針?lè)ㄉ婕暗桨虢饘倥c半導(dǎo)體材料綜合、金屬物理性能試驗(yàn)方法、、、電工合金零件、特種陶瓷、質(zhì)譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、電阻器、半導(dǎo)體集成電路、工程地質(zhì)、水文地質(zhì)勘察與巖土工程、水環(huán)境有毒害物質(zhì)分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導(dǎo)體材料、金屬無(wú)損檢驗(yàn)方法。

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)中，四探針?lè)ㄉ婕暗桨雽?dǎo)體材料、金屬材料試驗(yàn)、絕緣流體、獸醫(yī)學(xué)、復(fù)合增強(qiáng)材料、電工器件、無(wú)損檢測(cè)、集成電路、微電子學(xué)、土質(zhì)、土壤學(xué)、水質(zhì)、電子顯示器件、有色金屬。

GB/T 6617-1995 硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針?lè)?/p>

GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定 直流兩探針?lè)?/p>

GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針?lè)?/p>

GB/T 6617-2009 硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針?lè)?/p>

GB/T 14141-2009 硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定.直排四探針?lè)?/p>

標(biāo)配：測(cè)試平臺(tái)一套、主機(jī)一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。

電源：220±10% 50HZ/60HZ 

顯示方式：液晶顯示

主機(jī)外形尺寸：330mm*340mm*120mm

誤差：±0.2%讀數(shù)±2字

量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?

電流輸出：直流電流?0～1000mA?連續(xù)可調(diào)，由交流電源供電。

分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV

測(cè)量精度±（0.1%讀數(shù)）

測(cè)量電壓量程：?2mV?  20mV? 200mV?2V?

測(cè)量誤差±5%

分辨率：  最小1μΩ

電導(dǎo)率：5×10-6～1×108ms/cm

電阻：1×10-5～2×105Ω

電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、

電阻測(cè)量范圍：

提供中文或英文兩種語(yǔ)言操作界面選擇，滿足國(guó)內(nèi)及國(guó)外客戶需求

本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示電阻值、電阻率、方阻、電導(dǎo)率值、溫度、壓強(qiáng)值、單位自動(dòng)換算，配置不同的測(cè)試治具可以滿足不同材料的測(cè)試要求。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購(gòu).

本儀器配置各類(lèi)測(cè)量裝置可以測(cè)試不同材料之電導(dǎo)率。液晶顯示，無(wú)需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電導(dǎo)率單位自動(dòng)選擇，BEST-300C 材料電導(dǎo)率測(cè)試儀自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程，無(wú)需人工多次和重復(fù)設(shè)置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動(dòng)生成圖表和報(bào)表。

適用范圍四端測(cè)試法是目前較先進(jìn)之測(cè)試方法，主要針對(duì)高精度要求之產(chǎn)品測(cè)試；本儀器廣泛用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。

BEST-300C

導(dǎo)電材料電阻測(cè)試儀