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自營(yíng)斜探頭

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網(wǎng)站自營(yíng)

產(chǎn)品介紹

   進(jìn)行斜射探傷用的探頭，主要用于橫波探傷。斜探頭由斜塊、壓電晶片、吸聲材料、外殼、插座等組成。

功能特點(diǎn)

    超聲波的發(fā)射/接收由壓電晶片完成。
    斜塊的作用是實(shí)現(xiàn)波型的轉(zhuǎn)換，當(dāng)入射角（α）在第一臨界角和第二臨界角之間時(shí)，根據(jù)超聲波在不同聲阻抗界面的折射定律，工件中只有橫波的存在。
    吸聲材料用來(lái)吸收晶片背面、斜塊四周發(fā)散的噪聲。
    外殼起到支撐、保護(hù)、電磁屏蔽等作用。
    插座為電信號(hào)接口，通過(guò)探頭線連接到儀器。
    斜探頭折射角的大小通過(guò) K值來(lái)標(biāo)明。
    斜探頭的聲束與探頭表面傾斜，因此可用于檢測(cè)直聲束無(wú)法到達(dá)的部位、或者缺陷的方向與檢測(cè)面之間存在夾角的區(qū)域。

規(guī)格型號(hào)

斜探頭（大尺寸晶片）
頻率(MHz)	晶片尺寸(mm)	型號(hào)	插座
1	13*13	1P13*13 K1	Q9
		1P13*13 K1.5
		1P13*13 K2
1.25	13*13	1.25P13*13 K0.8
		1.25P13*13 K1
		1.25P13*13 K1.5
		1.25P13*13 K2
		1.25P13*13 K2.5
		1.25P13*13 K3
	13*13	1.25P18*18 K0.8
		1.25P18*18 K1
		1.25P18*18 K1.5
		1.25P18*18 K2.0
		1.25P18*18 K2.5
		1.25P13*13 K3
2.5	10*16	2.5P10*16 K0.8
		2.5P10*16 K1
		2.5P10*16 K2.5
		2.5P10*16 K2
		2.5P10*16 K2.5
		2.5P10*16 K3
	13*13	2.5P13*13 K0.8
		2.5P13*13 K1
		2.5P13*13 K2.5
		2.5P13*13 K2
		2.5P13*13 K2.5
		2.5P13*13 K3
	18*18	2.5P18*18 K0.8
		2.5P18*18 K1
		2.5P18*18 K2.5
		2.5P18*18 K2
		2.5P18*18 K2.5
		2.5P18*18 K3
5	10*16	5P10*16 K1
		5P10*16 K0.8
		5P10*16 K1.5
		5P10*16 K2
		5P10*16 K2.5
		5P10*16 K3
	13*13	5P13*13 K0.8
		5P13*13 K1
		5P13*13 K1.5
		5P13*13 K2
		5P13*13 K2.5
		5P13*13 K3
*分普通前沿和短前沿兩種?！?/span>
*可根據(jù)客戶需要定做其他規(guī)格的探頭，詳情請(qǐng)聯(lián)系。
小型斜探頭
頻率(MHz)	晶片尺寸(mm)	型號(hào)	插座
2.5	8*12	2.5P8*12 K0.8	Q9
		2.5P8*12 K1
		2.5P8*12 K1.5
		2.5P8*12 K2
		2.5P8*12 K2.5
		2.5P8*12 K3
	9*9	2.5P9*9 K0.8
		2.5P9*9 K1
		2.5P9*9 K1.5
		2.5P9*9 K2
		2.5P9*9 K2.5
		2.5P9*9 K3
5	8*12	5P8*12 K0.8
		5P8*12 K1
		5P8*12 K1.5
		5P8*12 K2
		5P8*12 K2.5
		5P8*12 K3
	9*9	5P9*9 K0.8
		5P9*9 K1
		5P9*9 K1.5
		5P9*9 K2
		5P9*9 K2.5
		5P9*9 K3
微型斜探頭
頻率(MHz)	晶片尺寸(mm)	型號(hào)	插座
2.5	6*8	2.5P6*8 K0.8	Q9
		2.5P6*8 K1
		2.5P6*8 K1.5
		2.5P6*8 K2
		2.5P6*8 K2.5
		2.5P6*8 K3
5	6*6	5P6*6 K0.8	Q6
		5P6*6 K1
		5P6*6 K1.5
		5P6*6 K2
		5P6*6 K2.5
		5P6*6 K3
	6*8	5P6*8 K0.8	Q9
		5P6*8 K1
		5P6*8 K1.5
		5P6*8 K2
		5P6*8 K2.5
		5P6*8 K3
雙晶斜探頭
接收客戶定制各種規(guī)格的雙晶斜探頭，定制時(shí)請(qǐng)告知頻率、晶片大小、折射角或 K 值、焦點(diǎn)深度、前沿距離、外殼、接插頭等指標(biāo)要求。